[发明专利]硅圆片通孔金属填充工艺无效
| 申请号： | 201210017864.5 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219278A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;陈照辉;陈润 | 申请（专利权）人： | 刘胜 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 200120 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅圆片通孔金属填充工艺，其特征在于所述硅圆片通孔内通过电镀金属，并通过热处理工艺在硅圆片上的通孔内形成填充金属，工艺步骤为：在硅圆片上刻蚀孔；在硅圆片表面形成一层绝缘层；在绝缘层表面溅射一层粘附层、阻挡层、种子层；采用光刻工艺暴露出孔；经电镀在孔内壁形成金属；利用光刻胶保护通孔填充金属部分，去除圆片表面的种子层和粘附层；在惰性气体的保护下进行热处理，形成通孔内填充金属。本发明的优点是工艺简单、具有高电导率、高可靠性的硅圆片通孔金属填充的方法，为硅通孔(TSV)技术提供了一条新的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 硅圆片通孔 金属 填充 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅圆片通孔金属填充工艺，其特征在于所述硅圆片通孔内通过电镀金属Sn或Sn合金，或者经多次电镀Sn及其合金金属，并通过热处理工艺在硅圆片上的通孔内形成填充金属，填充工艺步骤如下：(1)在硅圆片上刻蚀深孔；(2)在硅圆片表面形成一层绝缘层；(3)在绝缘层表面溅射一层粘附层、阻挡层、种子层；(4)采用光刻工艺暴露出通孔，并利用光刻胶保护硅圆片的其余部分；(5)通过电镀工艺在孔内经一次或者多次电镀金属Sn或Sn合金金属；(6)利用光刻胶保护通孔填充金属部分，利用腐蚀工艺去除硅圆片表面的粘附层，阻挡层和种子层；(7)在惰性气体的保护下，进行热处理，最终形成硅圆片通孔内的填充金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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