[发明专利]具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管无效
| 申请号： | 201210017954.4 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102544281A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 叶孟欣;吴志强;卢国军 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，其包含：衬底；由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层，位于衬底之上；在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；活性层由阱层、多层势垒结构层依次层叠构成，多层势垒结构层由一第一氮化铝铟镓薄层和一第二氮化铝铟镓薄层交互重复堆叠形成。本发明从材料本质上改善了目前氮化物发光二极管在大电流操作下发光效率的骤降效应，有效提高了氮化物发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 结构 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管，包含： 衬底；由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层，位于衬底之上；在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；活性层由阱层、多层势垒结构层依次层叠构成；多层势垒结构层由一第一氮化铝铟镓薄层和一第二氮化铝铟镓薄层交互重复堆叠形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210017954.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多层车库用带转盘的电梯
- 下一篇：一种集成式底盘
