[发明专利]高频开关在审
| 申请号： | 201210018318.3 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219976A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杉浦毅 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，得到插入损耗特性及谐波特性均良好的高频开关。根据本发明的高频开关包括：使用天线输出发送信号的共用端口；输入发送信号的发送端口；分别连接在多个上述发送端口和共用端口之间，导通或截止各发送端口和上述共用端口的多个开关部。并且上述开关部具有形成在硅基板上，并以串联的方式连接的多个MOSFET，上述多个MOSFET为接触型FET和浮体型FET中的一个，并且各开关部均包括接触型FET及浮体型FET。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 开关 | ||
【主权项】：
一种高频开关，其特征在于包括：使用天线输出发送信号的共用端口；输入所述发送信号的发送端口；以及分别连接在多个所述发送端口和所述共用端口之间，并导通或截止从各发送端口到所述共用端口的所述发送信号的多个开关部，并且所述开关部具有形成在硅基板上，并以串联的方式连接的多个金属‑氧化层‑半导体‑场效晶体管，所述多个金属‑氧化层‑半导体‑场效晶体管为接触型场效晶体管及浮体型场效晶体管中的任一个，且各开关部均包括接触型场效晶体管及浮体型场效晶体管。
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