[发明专利]基于MEMS技术的阵列式气味检测元件有效

专利信息
申请号: 201210018690.4 申请日: 2012-01-20
公开(公告)号: CN102590450A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 谭秋林;熊继军;朱思敏;刘文怡;张文栋;刘俊;薛晨阳;裴向东 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 任林芳
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及气敏传感器领域,具体是一种基于MEMS技术的阵列式气味检测元件。解决了现有电子鼻所用气敏传感器阵列中的个体存在响应特性漂移不一致的问题。所述检测元件包括半导体基底,以及在半导体基底上采用MEMS加工工艺加工得到的:气味敏感单元、用以检测气味敏感单元工作温度的感温单元、用以将气味敏感单元加热至所需工作温度的加热单元;所述气味敏感单元包含按照阵列排布的若干气敏型金属氧化物薄膜,且各薄膜为尺寸参数各异的同种气敏型金属氧化物,各薄膜上分别设有两个用于与数据采集设备连接的电极。本发明结构简单,能采用目前发展已较成熟的MEMS技术加工实现,利于实现电子鼻的集成化、小型化,且方法合理,识别准确。
搜索关键词: 基于 mems 技术 阵列 气味 检测 元件
【主权项】:
一种基于MEMS技术的阵列式气味检测元件,包括半导体基底(1),以及在半导体基底(1)上采用MEMS加工工艺加工得到的:气味敏感单元、用以检测气味敏感单元工作温度的感温单元(2)、用以将气味敏感单元加热至所需工作温度的加热单元(3);其特征在于:所述气味敏感单元包含按照阵列排布的若干气敏型金属氧化物薄膜(4),且各薄膜为尺寸参数各异的同种气敏型金属氧化物,各薄膜上分别设有两个用于与数据采集设备连接的电极(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中北大学,未经中北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210018690.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top