[发明专利]一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法无效
申请号: | 201210019073.6 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN102543791A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 贾嘉;钱大憨;汤亦聃;乔辉;李向阳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N19/04 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法:(1)光刻图形:用光刻的方法在碲镉汞基底上的薄膜表面形成方格图形;(2)形成方格:用刻蚀或浮胶的方法将薄膜分割形成若干方格;(3)粘贴胶带:将胶带粘在薄膜上,并施以一定的正压力;(4)剥离薄膜:将胶带折起沿与薄膜平行的方向,以恒定的速度施加拉力;(5)计算百分比:用最终薄膜表面方格的脱落百分比来定量评价以碲镉汞为基底的薄膜附着力。该方法具有操作方便、数据直观、成本低和非破坏性等优点,并且能对正式的碲镉汞样品进行在线检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲镉汞 基底 薄膜 附着力 定量 测试 方法 | ||
【主权项】:
一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法,其特征在于包括以下步骤:(1)光刻图形:用光刻的方法在碲镉汞基底上的薄膜表面形成方格图形,在碲镉汞基底上光刻10行×10列的方格光刻版,每个方格的尺寸为100μm×100μm;(2)形成方格:用常规刻蚀或浮胶的方法将光刻过的薄膜分割成若干方格;(3)粘贴胶带:为了使操作更为方便,可先将需要测试的以碲镉汞为基底的薄膜样品固定在一玻璃或不锈钢的试验基板上,然后将胶带粘在薄膜上,并施以一定的正压力;(4)剥离薄膜:将粘贴在薄膜上的胶带剥开并对折,然后将胶带自由端和试验基板分别固定在万能试验机的夹持器和底座上;使拉起的胶带面与实验基板基本保持平行,角度不超过10°,试验机以160~500mm/min范围内的某一恒定的上升速度施加拉力将胶带从薄膜表面连续剥离直至离开样品边缘;(5)计算百分比:在有效粘贴单元区域内,记录单元中有薄膜脱落发生的方格总数,将其除以有效粘贴区域内的方格总数,计算脱落百分比即得到该片以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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