[发明专利]一种低功耗阻变存储器结构及制备方法无效
| 申请号： | 201210019208.9 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102593351A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张丽杰;黄如;谭胜虎 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层，在电子电流阻挡层上设有上电极，上电极和电子电流阻挡层导带之间的能带差低于1eV。本发明可以有效地抑制电子电流，同时又不会减弱引起阻变的离子电流，能有效地降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 存储器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层，在电子电流阻挡层上设有上电极，上电极和电子电流阻挡层导带之间的能带差低于1eV。
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