[发明专利]化学气相沉积设备的反应腔室无效
申请号: | 201210019424.3 | 申请日: | 2012-01-21 |
公开(公告)号: | CN103074602A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 梁秉文 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种化学气相沉积设备的反应腔室,包括:基座,所述基座用于放置衬底;至少两个喷淋头,与基座相对设置,所述喷淋头用于向所述衬底提供反应气体,每个喷淋头下方至少可以放置一个衬底。本发明解决了反应腔室中的大尺寸的喷淋头难以加工、大尺寸喷淋头的成本偏高的问题,并且与反应腔室内设置单一的喷淋头相比,本发明在反应腔室内设置两个以上喷淋头,能够改善衬底上的反应气体的分布的均匀度,提高了形成的外延层的均匀度。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 反应 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积设备的反应腔室,其特征在于,包括:基座,所述基座用于放置衬底;至少两个喷淋头,与基座相对设置,所述喷淋头用于向所述衬底提供反应气体,每个喷淋头下方至少可以放置一个衬底。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的