[发明专利]在去除栅极结构中的伪层期间减少介电损耗的等离子体掺杂有效
| 申请号： | 201210020206.1 | 申请日： | 2012-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102737976A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;林家彬;王胜雄;徐帆毅;戴郡良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明所公开的方法和结构的实施例提供了通过掺杂剂实施掺杂围绕栅极结构的层间电介质膜ILD0，从而针对替换栅极技术在去除伪栅电极层和/或栅极介电层的工艺期间降低其蚀刻速率。ILD0膜可以掺杂等离子体掺杂工艺(PLAD)或者离子束工艺。掺杂后退火是可选的。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 栅极 结构 中的 期间 减少 损耗 等离子体 掺杂 | ||
【主权项】：
一种掺杂围绕位于衬底上的栅极结构的层间介电(ILD)层的方法，用于改善所述衬底的成品率，所述方法包括：去除位于所述栅极结构上方的所述ILD层的过多的层间电介质，其中，所述栅极结构包括伪栅电极层，并且其中，去除过多的ILD层使所述伪栅电极层露出；通过掺杂剂掺杂位于所述衬底上的表面层，其中，所述掺杂的表面层包括所述ILD层的掺杂ILD表面层；以及去除露出的伪栅电极层，其中，所述掺杂的ILD表面层在去除露出的伪栅电极期间减少了ILD层的损耗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
