[发明专利]一种碳化硅冶炼炉端墙无效
申请号: | 201210020314.9 | 申请日: | 2012-01-10 |
公开(公告)号: | CN102538466A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 段晓燕 | 申请(专利权)人: | 段晓燕 |
主分类号: | F27D1/00 | 分类号: | F27D1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 750000 宁夏回族自治区银*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | 本发明提供一种碳化硅冶炼炉端墙,针对现有碳化硅冶炼技术因端墙结构不合理,难以密封端墙与侧墙间缝隙的现状,提供一种实现端墙与侧墙间廉价、方便可靠密封的端墙,以实现安全抽出炉内气体。采用在砌体(2)上设置含有密封腔(3)和密封板(5)的附件(16),密封腔(3)内装填密封膏(3),密封膏(3)将砌体(2)和密封板(5)密封成一密封整体,以便于实现端墙和侧墙(14)间的密封。本发明制作简单,用于密封端墙与侧墙间的缝隙,抽出碳化硅冶炼炉内气体具有操作简便易行,成本低廉,安全可靠的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 冶炼 炉端墙 | ||
【主权项】:
一种碳化硅冶炼炉端墙,由电极(1)和砌体(2)组成,其特征在于砌体(2)上设置包含密封膏(3)和密封板(5)的附件(16),密封膏(3)将砌体(2)和密封板(5)密封成一密封整体。
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