[发明专利]化合物半导体器件、制造器件的方法和电气器件有效
| 申请号： | 201210020479.6 | 申请日： | 2012-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102637721A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 仓桥菜绪子 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种化合物半导体器件、制造所述器件的方法以及电气器件，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体多层结构；所述化合物半导体多层结构上的栅极绝缘膜；以及栅电极，其中所述栅电极包括所述栅极绝缘膜上的栅极基部和栅极伞部，并且所述栅极伞部的表面包括与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 制造 器件 方法 电气 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体多层结构；在所述化合物半导体多层结构上的栅极绝缘膜；和栅电极，其中所述栅电极包括所述栅极绝缘膜上的栅极基部和栅极伞部，并且所述栅极伞部的表面包括与所述化合物半导体多层结构的肖特基接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210020479.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种合金表层微裂纹的处理方法
- 下一篇：组合式换热分散反应装置
- 同类专利
- 专利分类
