[发明专利]发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件有效

专利信息
申请号: 201210020741.7 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN103137820B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 罗玉云;吴志凌;黄逸儒;林子旸;李允立 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/02;H01L33/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件,本发明提供一种发光二极管组件,发光二极管组件倒覆于一封装基板并与其电性连接,而形成覆晶式发光二极管封装组件。发光二极管组件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一奥姆接触层及一平坦缓冲层,奥姆接触层提升第二型掺杂层与反射层间的奥姆接触特性,而且不影响发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件的发光效率。平坦缓冲层设置于奥姆接触层与反射层之间,可平整奥姆接触层,使反射层可平整地附着于平坦缓冲层,可使反射层达到镜面反射的效果,并减少反射光源产生散射的现象。
搜索关键词: 发光二极管 组件 覆晶式 封装
【主权项】:
一种发光二极管组件,其特征在于,是包含:一组件基板;一第一型掺杂层,配置于该组件基板上;一发光层,配置于该第一型掺杂层上;一第二型掺杂层,配置于该发光层上;一奥姆接触层,配置于该第二型掺杂层上;一平坦缓冲层,配置于该奥姆接触层上;一反射层,配置于该平坦缓冲层上,其中该发光层位于该组件基板与该反射层之间,且该发光层所发出的部分光源穿透该奥姆接触层与该平坦缓冲层而被该反射层反射;以及二电极,分别配置于该反射层及该第一型掺杂层,其中该平坦缓冲层与该反射层相接的表面的均方根粗糙度小于奥姆接触层的表面的粗糙度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新世纪光电股份有限公司,未经新世纪光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210020741.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top