[发明专利]含金属-硅的薄膜的循环化学气相沉积

摘要

一种在基底上沉积金属硅氮化物的方法包括：将金属氨化物吸附在热的基底上，吹扫走未吸附的金属氨化物，将具有一个或更多Si-H₃片段的含硅源和热的基底接触以和吸附的金属氨化物反应，其中的含硅源具有一个或更多的H₃Si-NR⁰₂(R₀＝SiH₃、R、R¹或R²，下面定义的)基团，这些基团选自于一个或多个的：其中，式中的R和R¹代表脂族基团、典型地具有从2到约10个碳原子，例如支链烷基，在分子式A中带有R和R¹的环烷基也可被结合到环状基团中，和R²代表单键、(CH₂)_n、环，或SiH₂，和吹扫走未反应的含硅源。

主权项

一种在基底上沉积金属硅氮化物的方法，包括：a.将热的基底和金属氨化物接触以将该金属氨化物吸附在该热的基底上，其中该金属氨化物选自四(二甲基氨基)钛(TDMAT)、四(二乙基氨基钛)(TDEAT)、四(乙基甲基氨基)钛(TEMAT)、四(二甲基氨基)锆(TDMAZ)、四(二乙基氨基)锆(TDEAZ)、四(乙基甲基氨基)锆(TEMAZ)、四(二甲基氨基)铪(TDMAH)、四(二乙基氨基)铪(TDEAH)、四(乙基甲基氨基)铪(TEMAH)、叔丁基亚氨基三(二乙基氨基)钽(TBTDET)、叔丁基亚氨基三(二甲基氨基)钽(TBTDMT)、叔丁基亚氨基三(乙基甲基氨基)钽(TBTEMT)、乙基亚氨基三(二乙基氨基)钽(EITDET)、乙基亚氨基三(二甲基氨基)钽(EITDMT)、乙基亚氨基三(乙基甲基氨基)钽(EITEMT)、叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)钽(TAIMAT)、叔戊基亚氨基三(二乙基氨基)钽、五(二甲基氨基)钽、叔戊基亚氨基三(乙基甲基氨基)钽、二(叔丁基亚氨基)二(二甲基氨基)钨(BTBMW)、二(叔丁基亚氨基)二(二乙基氨基)钨、二(叔丁基亚氨基)二(乙基甲基氨基)钨和它们的混合物；b.吹扫走任何未吸附的金属氨化物，c.将热的基底与具有一个或更多Si‑H3片段的含硅源接触以和被吸附在基底上的金属氨化物反应，其中的含硅源选自二异丙基氨基硅烷(DIPAS)、二叔丁基氨基硅烷(DTBAS)、二仲丁基氨基硅烷、二叔戊基氨基硅烷和它们的混合物，和d.吹扫走未反应的含硅源。