[发明专利]表面发射半导体激光器装置有效
申请号: | 201210020795.3 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102610997A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 盖德·艾伯特·罗格若;方瑞雨;阿里桑德罗·斯塔诺;朱莉安娜·莫若罗 | 申请(专利权)人: | 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 本发明涉及一种表面发射半导体激光器装置,其中,边缘发射激光器与衍射或折射透镜集成在同一半导体激光器装置上。提供了一种表面发射半导体激光器装置,包括:形成在布置于半导体衬底上的各个半导体材料层中的边缘发射激光器,在衬底上与形成边缘发射激光器的层横向相邻布置的聚合物材料,形成在聚合物材料的上表面内或上表面上的衍射或折射透镜,形成在聚合物材料的大致面向激光器的出射端面的倾斜侧反射器面上的侧反射器,布置在聚合物材料下方的衬底上的下反射器。激光穿出出射端面并在由侧反射器朝向下反射器反射之前传播通过聚合物材料。激光之后由下反射器朝向透镜再次反射,透镜将激光沿着衬底的上表面大致法向的方向引导到装置之外。 | ||
搜索关键词: | 表面 发射 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】:
一种表面发射半导体激光器装置,包括:衬底,具有上表面和下表面;多个半导体层,至少包括最下层和最上层,其中,所述最下层被布置在所述衬底的上表面上,所述多个半导体层中形成有边缘发射激光器,以在该激光器被激活时产生具有激光发射波长的激光,所述激光器具有第一端面和第二端面,其中,在所述激光器被激活时,具有所述激光发射波长的激光通过所述第二端面从所述激光器出来;形成在所述多个半导体层中的沟道;布置在所述沟道中的聚合物材料,所述聚合物材料至少包括上表面、下表面和倾斜侧面;折射或衍射透镜,位于所述聚合物材料的上表面中或上表面上;侧反射器,位于所述聚合物材料的倾斜侧面上,所述倾斜侧面大致面向所述激光器的第二端面;以及下反射器,位于所述衬底的上表面上,所述衬底的上表面大致位于所述聚合物材料的下表面下方并且大致面向所述聚合物材料的上表面,其中,通过所述激光器的第二端面出来的激光的至少一部分经过所述聚合物材料传播并且由所述侧反射器沿着大致朝向所述下反射器的方向反射,并且其中,被反射的激光的至少一部分入射到所述下反射器上并且由所述下反射器沿着大致朝向所述折射或衍射透镜的方向再次反射,并且其中,所述折射或衍射透镜接收被再次反射的激光的至少一部分并且使得所接收的部分被沿着所述衬底的上表面大致法向的方向引导到所述表面发射半导体激光器装置之外。
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