[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210020999.7 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102593184A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李刘中;陈佳榆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 樊一槿 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体通道层；在栅绝缘层及金属氧化物半导体通道层上形成源极及漏极；源极及漏极的形成方法包括下列步骤：依序形成第一导体层及第二导体层，接着在第二导体层上形成图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜并以第一导体层为终止层进行湿式蚀刻，以图案化第二导体层；以图案化光阻层为掩膜进行干式蚀刻，以图案化第一导体层，其中金属氧化物半导体通道层的部分区域被源极及漏极暴露；以含氟的气体对暴露的金属氧化物半导体通道层进行表面处理。本发明可以避免金属氧化物半导体通道层在源极及漏极蚀刻产生结构破坏缺陷，而获得良好的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖所述栅极；一金属氧化物半导体通道层，配置于所述栅绝缘层上，其中所述金属氧化物半导体通道层位于所述栅极上方；以及一源极及一漏极，配置于所述栅绝缘层及所述金属氧化物半导体通道层上，其中所述源极及所述漏极的材质包括第一图案化导体层和/或第二图案化导体层的叠层；所述第一图案化导体层与所述第二图案化导体层为金属层，所述第一图案化导体层具有一突出部，突出于所述第二图案化导体层侧壁，所述第二图案化导体层的面积小于所述第一图案化导体层的面积，且所述第二图案化导体层的外轮廓不超出所述第一图案化导体层的外轮廓。
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