[发明专利]糙化透明导电基板的制造方法无效
| 申请号： | 201210021066.X | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103227232A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李炳寰;郭镇维 | 申请（专利权）人： | 亚树科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 中国台湾台南市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种糙化透明导电基板的制造方法。该制造方法主要包括下列步骤：沉积一透明导电层于一透明基板；及被覆于该透明基板的一面，该透明导电层经雷射源雕刻花纹以糙化其表面。以此糙化透明导电基板制成的薄膜太阳能电池，能有效提升其电流与效率。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种糙化透明导电基板的制造方法，其特征在于，包括：(a)提供一透明基板；(b)沉积一透明导电层于该透明基板的一表面；以及(c)以一雷射源在该透明导电层上雕刻一花纹结构；该花纹结构选自圆形、三角形、矩型、多边形或不规则形之一；该花纹结构的深度介于30至300奈米之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
