[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210021184.0 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102623441A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李忠善;尹宣弼;宋炫静;金晶焕;闵台洪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置和制造它们的方法。所述半导体装置可包括第一芯片、第一芯片上方的第二芯片、导电凸块、均匀一体底部填充材料和模制材料。导电凸块可在第一芯片的上表面和第二芯片的下表面之间延伸。均匀一体底部填充材料可置于第一芯片和第二芯片之间，包封导电凸块，并沿第二芯片的侧壁延伸。均匀一体底部填充材料的上表面可在与第二芯片的上表面平行的方向上延伸并与第二芯片的上表面相邻地设置。模制材料可位于第一芯片的上表面上方的均匀一体底部填充材料的外侧表面上，其中，模制材料通过均匀一体底部填充材料与第二芯片的侧壁分开，从而模制材料不接触第二芯片的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一芯片；第二芯片，位于所述第一芯片上方；导电元件，在所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面之间延伸；均匀一体底部填充材料，置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，包封所述导电元件，并沿所述第二芯片的侧壁延伸，所述均匀一体底部填充材料的上表面沿与所述第二芯片的上表面平行的方向延伸并与所述第二芯片的所述上表面相邻地设置；模制材料，在位于所述第一芯片的所述上表面上方的所述均匀一体底部填充材料的外侧表面上，其中，所述模制材料通过所述均匀一体底部填充材料与所述第二芯片的侧壁分开，从而所述模制材料不接触所述第二芯片的侧壁。
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