[发明专利]具有TiAlN阻挡/润湿层的金属栅叠层有效
| 申请号： | 201210021706.7 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103022101A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;吴斯安;王英郎;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有TiAlN阻挡/润湿层的金属栅叠层以及制造该金属栅叠层的方法。在一实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅叠层。该栅叠层包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层；设置在栅极介电层上方的功函数层；设置在功函数层上方的多功能润湿/阻挡层，其中，所述多功能润湿/阻挡层是氮化钛铝层；以及导电层设置在多功能润湿/阻挡层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 tialn 阻挡 润湿 金属 栅叠层 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：半导体衬底；以及栅叠层，被设置在所述半导体衬底上方，其中，所述栅叠层包括：栅极介电层，被设置在所述半导体衬底上方；功函数层，被设置在所述栅极介电层上方；多功能润湿/阻挡层，被设置在所述功函数层上方，其中，所述多功能润湿/阻挡层是氮化钛铝层；以及导电层，被设置在所述多功能润湿/阻挡层上方。
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