[发明专利]侧面耦合单向传输光子晶体波导器件及制作方法无效
| 申请号： | 201210021962.6 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102565936A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王维彪;梁静秋;梁中翥;周建伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 侧面耦合单向传输光子晶体波导器件及制作方法，涉及光学技术领域中的一种微结构光子晶体元件，提供一种能实现光子晶体波导和传统光学器件或外置光源间高效耦合的波导器件及制作方法。本发明采用多光子晶体谐振腔并联的方式，电磁波从波导二区中的耦合区进入由多个光子晶体谐振腔并联构成的耦合系统，与并联光子晶体谐振腔及光子晶体波导响应频率相同的电磁波经过数个并联光子晶体谐振腔高效耦合进缺陷区，电磁波在缺陷区中单向传播，最后由光子晶体波导的一侧出射，达到提高耦合面积的目的，耦合效率高，光子晶体波导结构更紧凑、体积更小，并具有更高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 侧面 耦合 单向 传输 光子 晶体 波导 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
侧面耦合单向传输光子晶体波导器件，包括波导层(13)、低折射率埋层(7)和衬底层(8)，所述波导层位于低折射率埋层(7)的上部，低折射率埋层(7)的下部与衬底层(8)相连；所述波导层包括波导一区(1)、缺陷区(10)和波导二区(2)；其特征是，波导一区(1)与波导二区(2)的衔接处分布缺陷区(10)，所述波导一区(1)由多个介质柱(9)周期性排列组成，所述波导二区(2)最外面一行分布耦合介质柱(12)，该行耦合介质柱(12)构成耦合区(3)，所述波导二区(2)中包含多个沿平行于缺陷区(10)方向排列的点缺陷(6)，每个点缺陷(6)与其周围的介质柱(9)和最外面的耦合介质柱(12)构成光子晶体谐振腔(4)；多个光子晶体谐振腔(4)并联；在最右端的光子晶体谐振腔(4)中点缺陷(6)的上部对应位置有一个反射介质柱(11)，反射介质柱(11)与缺陷区(10)相邻，所述介质柱(9)的半径r＝102nm，点缺陷(6)由半径为r1的介质柱(5)构成，r1＝51nm，所述耦合介质柱(12)的半径r2大于或小于介质柱(9)的半径r，反射介质柱(11)半径为r3大于或小于介质柱(9)的半径r。
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