[发明专利]大尺寸异型氟化钡闪烁晶体的制备方法无效
| 申请号： | 201210021980.4 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103243377A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 甄西合;任绍霞;刘建强;史达威;潘兴彦;张钦辉;葛云程 | 申请（专利权）人： | 北京首量科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种采用改进的坩埚下降法生长大尺寸异型氟化钡闪烁晶体的技术，其特征是采用异型石墨坩埚进行生长，可直接制备出不同实际需要的高质量、大尺寸的异型氟化钡晶体。利用本发明方法可以有效缩短大尺寸晶体的生长周期，提高晶体的生产效率和产品率，降低了生产成本，并大大简化异型晶体的后加工工序。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 异型 氟化钡 闪烁 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种采用改进的坩埚下降法生长大尺寸异型氟化钡闪烁晶体的技术，其特征在于直接使用异型石墨坩埚进行下降法氟化钡晶体生长，其具体步骤包括：（1）晶体生长原料的预处理：称取适量的BaF2和PbF2粉末（除氧剂）混合均匀后置于真空干燥炉内，200℃烘干12h；将烘干后的原料装入坩埚并置于晶体生长炉中，抽真空，加热至熔化后降温至室温；取出坩埚中结晶的原料，粉碎为氟化钡多晶料用于晶体生长。
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