[发明专利]一种具有P／N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构无效
| 申请号： | 201210022177.2 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102545059A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张欣刚;任大为;邱继广;谢镇隆 | 申请（专利权）人： | 华汉晶源（北京）光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 杨小蓉;杨青 |
| 地址： | 100080 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种新型的具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构，所述的量子阱结构沿半导体生长方向有N型磷化铟层、非掺杂的量子阱区域以及P型磷化铟层，其特征在于，所述的N型磷化铟层中引入一层非掺杂的磷化铟层，其厚度为0.1～1微米，该层非掺杂的磷化铟层和非掺杂的量子阱区域之间的N型掺杂的磷化铟层的厚度为0～2微米。本发明的优点主要有三个：1、提升激光器芯片的可靠性，增强数据网路的稳定性；2、降低对芯片生产设备防静电要求，从而降低设备成本于芯片成本；3、降低对于下游的芯片封装厂商的生产环境要求，便于客户降低成本，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 异质结 半导体激光器 芯片 量子 结构 | ||
【主权项】：
一种具有P/N异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构，所述的量子阱结构沿半导体生长方向有N型磷化铟层、非掺杂的量子阱区域以及P型磷化铟层，其特征在于，所述的N型磷化铟层中引入一层非掺杂的磷化铟层，其厚度为0.1～1微米，该层非掺杂的磷化铟层和非掺杂的量子阱区域之间的N型掺杂的磷化铟层的厚度为0～2微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华汉晶源（北京）光电技术有限公司，未经华汉晶源（北京）光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210022177.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于Android移动终端的视频监控系统
- 下一篇：单排焊线防串扰电连接器
