[发明专利]一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层及其制备方法

摘要

一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层，是在衬底上依次叠加有金属背电极M、透明导电背电极T1、n型硅基薄膜N和本征硅基薄膜I的待处理样品表面沉积形成，由硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3依次叠加构成；其制备方法是：在较低的辉光功率下沉积厚度较薄的p型硅薄膜P1，然后逐渐升高功率沉积薄膜P2，最后在较高的功率下完成窗口层P3。本发明的优点是：该纳米硅窗口层用于n-i-p型硅基薄膜太阳电池的窗口层时，既可获得高电导和宽带隙，又能有效地减小太阳电池i/p界面的轰击，还可以实现本征层和窗口层之间的带隙匹配，显著提高太阳电池的填充因子、开路电压和光谱响应，从而得到高光电转换效率的硅基薄膜太阳电池。

主权项

一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层，是在衬底上依次叠加有金属背电极M、透明导电背电极T1、n型硅基薄膜N和本征硅基薄膜I的待处理样品表面沉积的具有梯度型带隙特征的p型纳米硅窗口层，其特征在于：由硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3依次叠加构成，其中硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3的厚度分别为0.5‑2nm、1‑3nm和5‑30nm，整个纳米硅窗口层的总厚度为10‑50nm、晶粒尺寸为1‑10nm、电导率为0.00001‑5S/cm、激活能为0.01‑0.5eV，带隙宽度为1.8‑2.5eV。