[发明专利]形成绝缘体上Ⅲ/Ⅴ族上锗结构的方法有效
| 申请号： | 201210022444.6 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102709225A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·达瓦尔;比什-因·阮;塞西尔·奥尔奈特;康斯坦丁·布德尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种形成绝缘体上III/V族上锗结构的方法。本发明涉及形成绝缘体上半导体结构(10)的方法，所述绝缘体上半导体结构(10)包括III/V族材料的半导体层(3)，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)在施主基板(1)上生长松弛锗层(2)；(b)在锗层(2)上生长至少一个III/V族材料层(3)；(c)在松弛锗层(2)中形成解理面(6)；(d)将施主基板(1)的解理部分转移到支撑基板(4)，该解理部分是施主基板(1)在解理面(6)处解理的、包括至少一个III/V族材料层(3)的部分。本发明还涉及绝缘体上III/V族上锗结构、NFET晶体管、制造NFET晶体管的方法、PFET晶体管和制造PFET晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 绝缘体 族上锗 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成包括III/V族材料的半导体层(3)的绝缘体上半导体结构(10)的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(a)在施主基板(1)上生长松弛锗层(2)；(b)在所述锗层(2)上生长至少一个III/V族材料层(3)；(c)在所述松弛锗层(2)中形成解理面(6)；(d)将所述施主基板(1)的解理部分转移到支撑基板(4)，所述解理部分是所述施主基板(1)在所述解理面(6)处解理的、包括所述至少一个III/V族材料层(3)的部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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