[发明专利]粘接的晶圆片堆叠和电镀粘接的晶圆片堆叠的方法有效
| 申请号： | 201210022462.4 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102629601A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;U·斯瑞达;A·S·科尔卡;X·应 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L21/50;B81B7/00;C25D7/12 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆片结构，其包括第一晶圆片堆叠和配置在其上的第一粘接层。所述晶圆片结构还包括第二晶圆片堆叠，其包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。在所述第二表面上布置有第二粘接层，其与第一粘接层接触。所述第二晶圆片叠层包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)。在所述第一表面上布置有种子层，其与所述硅通孔接触。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆片 堆叠 电镀 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆片结构，其包括：第一晶圆片堆叠；布置在所述第一晶圆片堆叠上的第一粘接层；第二晶圆片堆叠，其包括：第一表面；和与所述第一表面相对的第二表面；配置在所述第二表面上的第二粘接层，其与所述第一粘接层接触，其中所述第二晶圆片堆叠包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)；和布置在所述第一表面上并与所述硅通孔接触的种子层。
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