[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法无效
| 申请号： | 201210022492.5 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103247605A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 易伟华;杨会良;张芙嘉;刘文高 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管基板，包括基底、保护层及导电层；保护层层叠于所述基底上，所述保护层的材料为二氧化硅；导电层层叠于所述保护层上，所述导电层的材料为氧化铟锡。上述薄膜晶体管基板通过在基底上设置保护层及导电层，降低基底表面电阻，控制已产生静电的消散，加速静电的泄漏，使产生的静电迅速从基板表面或通过内部泄漏，防止静电的聚集，达到防静电的目的。本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基底；保护层，层叠于所述基底上，所述保护层的材料为二氧化硅；导电层，层叠于所述保护层上，所述导电层的材料为氧化铟锡。
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