[发明专利]一种高光效白光LED倒装芯片有效
申请号: | 201210022508.2 | 申请日: | 2012-02-01 |
公开(公告)号: | CN102544295A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 俞国宏 | 申请(专利权)人: | 俞国宏 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 332000 江西省九江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明涉及一种高光效白光LED倒装芯片,其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11),在衬底(1)表面涂敷一层纳米荧光粉层(28),其特征在于:该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极,柱形P型电极被环状N型电极包围,所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度。本发明由于在衬底上通过附着孔附着一层环形纳米荧光粉层,该纳米荧光粉层与普通的荧光粉相比,可以使得芯片发出的白光更加明亮可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 高光效 白光 led 倒装 芯片 | ||
【主权项】:
一种高光效白光LED倒装芯片,其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11),在衬底(1)表面涂敷一层纳米荧光粉层(28),其特征在于:该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极,柱形P型电极被环状N型电极包围,所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度。
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