[发明专利]钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法

摘要

一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外延片进行光刻，然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，对外延片进行腐蚀或刻蚀；使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料；进行曝光；进行中烘，显影，在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口，制作电极材料；对电极材料进行光刻，形成上电极和下电极；本发明是采用该制作方法钝化的器件具有较低的暗电流，ROA增加；其具有制造工艺不复杂、钝化膜强度大，钝化效果好等特点。

主权项

一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括如下步骤：步骤1：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在GaSb衬底上依次生长P型GaSb缓冲层、P型InAs/GaSb二类超晶格层、本征InAs/GaSb二类超晶格光吸收层、N型InAs/GaSb二类超晶格层和N型InAs欧姆接触层，形成外延片；步骤2：把外延片在超声波下依次使用三氯乙烯、丙酮和甲醇在50℃条件下热煮5分钟，然后使用异丙醇脱水，吹干，放在烘箱里烘干；步骤3：对外延片进行光刻，然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，对外延片进行腐蚀或刻蚀；步骤4：在温度为50℃的条件下，使用丙酮在超声波下热煮三遍，去掉光刻胶；然后使用负胶去膜剂在60‑70℃条件下热煮10分钟，接着用去离子水冲洗10分钟，使用异丙醇脱水，吹干，放在烘箱里烘干；步骤5：使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料；步骤6：将涂覆树脂材料的外延片，在烘箱或热板上进行前烘，去除树脂材料中的稀释剂，进行曝光；步骤7：进行中烘，显影，在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口，后烘固化；步骤8：在形成窗口的外延片上，制作电极材料；步骤9：对电极材料进行光刻，形成上电极和下电极，该上电极的中间为光进入窗口；步骤10：去胶清洗，烘干，完成红外探测器的工艺制作。