[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210023075.2 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102593300A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法。本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；和其中所述衬底具有至少一个具有预定倾角的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；和其中所述衬底具有至少一个具有预定倾角的侧表面。
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