[发明专利]用于制造半导体模块的方法无效
| 申请号： | 201210023525.8 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102683260A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·阿伦斯;鲁道夫·贝格尔;曼弗雷德·弗兰克;乌韦·霍克勒;伯恩哈德·科诺特;乌尔里希·克鲁姆贝因;沃尔夫冈·莱内特;贝特霍尔德·舒德尔;于尔根·瓦格纳;斯特凡·维尔科费尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造具有侧壁绝缘的半导体模块的方法，具有以下特征：提供半导体本体，其具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧；产生至少一个至少部分填充绝缘材料的第一沟槽，其从第一侧出发朝向第二侧的方向伸入到半导体本体中，其中，至少一个第一沟槽在用于第一半导体模块的第一半导体本体区域和用于第二半导体模块的第二半导体本体区域之间产生；产生隔离沟槽，其从半导体本体的第一侧出发朝向半导体本体的第二侧的方向延伸，并且位于第一和第二半导体本体区域之间，从而使得第一沟槽的绝缘材料的至少一部分至少邻接于隔离沟槽的侧壁，以及至少部分地去除半导体本体的第二侧直至隔离沟槽为止。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 模块 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有侧壁绝缘的半导体模块的方法，具有以下特征：‑提供半导体本体(10)，所述半导体本体具有第一侧(11)和与所述第一侧(11)相对设置的第二侧(12)，‑产生至少一个至少部分填充绝缘材料(13)的第一沟槽(14)，所述第一沟槽从所述第一侧(11)出发朝向所述第二侧(12)的方向伸入到所述半导体本体(10)中，其中，所述至少一个第一沟槽(14)在用于第一半导体模块(20)的第一半导体本体区域(10a)和第二半导体本体区域(10b)之间产生，‑产生隔离沟槽(15)，所述隔离沟槽从所述半导体本体(10)的所述第一侧(11)出发朝向所述半导体本体(10)的所述第二侧(12)的方向延伸，并且所述隔离沟槽位于所述第一和第二半导体本体区域(10a，10b)之间，从而使得所述第一沟槽(14)的所述绝缘材料的至少一部分至少邻接于所述隔离沟槽(15)的侧壁(16，17)，‑至少部分地去除所述半导体本体(10)的所述第二侧(12)直至所述隔离沟槽(15)为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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