[发明专利]加工衬底支架材料的方法以及由这种方法加工的衬底支架有效
| 申请号： | 201210023874.X | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102653884B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | M·G·范明斯特尔;W·J·M·范维尔岑;J·L·L·范德海登 | 申请（专利权）人： | 齐卡博制陶业有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及加工衬底支架材料的方法以及由这种方法加工的衬底支架。本发明涉及一种加工用于衬底支架的衬底支架材料的方法，其中半导体衬底将放置在所述衬底支架的第一侧面上，从而使用感应加热在半导体衬底上进行各种半导体材料的分层沉积，所述方法包括以下步骤在所述衬底支架材料上在至少一个测量位置确定第一电阻率，将所述第一电阻率与第二参考电阻率进行比较，对应于所述比较而改变所述衬底支架材料。本发明还涉及通过这种方法加工的衬底支架。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 衬底 支架 材料 方法 以及 这种方法 | ||
【主权项】：
一种加工用于制造在水平平面中的温度差别最小化的衬底支架的衬底支架材料的方法，其中半导体衬底将放置在所述衬底支架的第一侧面上，从而使用感应加热在半导体衬底上进行各种半导体材料的分层沉积，所述方法包括以下步骤：在所述衬底支架材料上的至少两个测量位置上确定一组电阻率值；将该组电阻率值与参考电阻率值进行比较，其中所述参考电阻率值由该组电阻率值确定；在所述衬底支架材料的至少一个位置处局部改变所述衬底支架材料，其中所述改变是对应于所述比较而执行，以制造在水平平面中的温度差别最小化的所述衬底支架。
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