[发明专利]用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件有效
| 申请号： | 201210024406.4 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN103022102A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘冠廷;姚亮吉;奧野泰利;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开的是多层清除金属栅极堆叠件及其制造方法。在一个实例中，设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的界面介电层、设置在界面介电层上方的高k介电层、设置在高k介电层上方的第一导电层以及设置在第一导电层上方的第二导电层。该第一导电层包括设置在高k介电层上方的第一金属层、设置在第一金属层上方的第二金属层以及设置在第二金属层上方的第三金属层。第一金属层包括将氧杂质从界面介电层中清除的材料，而第二金属层包括吸收第三金属层中的氧杂质并且阻止氧杂质扩散到第一金属层中的材料。本发明提供用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超薄 界面 介电层 多层 清除 金属 栅极 堆叠 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：半导体衬底；以及栅极堆叠件，设置在所述半导体衬底上方，其中，所述栅极堆叠件包括：界面介电层，设置在所述半导体衬底上方，高k介电层，设置在所述界面介电层上方，第一导电层，设置在所述高k介电层上方，其中，所述第一导电层包括：第一金属层，设置在所述高k介电层上方，其中，所述第一金属层包括从所述界面介电层中清除氧杂质的材料，第二金属层，设置在所述第一金属层上方，以及第三金属层，设置在所述第二金属层上方，其中，所述第二金属层包括吸收所述第三金属层中的氧杂质并且阻止氧杂质扩散到所述第一金属层中的材料；以及第二导电层，设置在所述第一导电层上方。
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