[发明专利]制备铸造单晶硅的装置及方法有效
| 申请号： | 201210024456.2 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102534748A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 武鹏;胡亚兰 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备铸造单晶硅的装置，包括炉体、引晶组件、气体导流筒、安装在所述炉体中的隔热组件、放置在所述隔热组件内的坩埚及加热器，所述气体导流筒的一端穿插于所述隔热组件，另一端延伸至所述炉体外，所述引晶组件包括用于夹持籽晶的夹持头及用于驱动所述夹持头的驱动件，所述夹持头位于所述坩埚的上方。采用上述制备铸造单晶硅的装置制备铸造单晶硅的成本较低。本发明还提供一种制备铸造单晶硅的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 铸造 单晶硅 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铸造单晶硅的装置，包括炉体、安装在所述炉体中的隔热组件、放置在所述隔热组件内的坩埚及加热器，其特征在于，所述制备铸造单晶硅的装置还包括引晶组件及气体导流筒，所述气体导流筒的一端穿插于所述隔热组件，所述气体导流筒的另一端延伸至所述炉体外，所述引晶组件包括用于夹持籽晶的夹持头及用于驱动所述夹持头的驱动件，所述夹持头位于所述坩埚的上方。
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