[发明专利]一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210024680.1 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102586868A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 任文才;高力波;马腾;高旸;马来鹏;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02;C30B33/06 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体为一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法，适用于大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备。采用化学气相沉积技术，以铜、铂等金属为生长基体，以碳氢化合物为碳源，在含有氢气的载气存在的情况下，先对金属基体进行热处理，然后利用碳源气体高温下在金属基体表面催化裂解，通过控制氢气、碳源浓度和生长温度，生长大尺寸单晶石墨烯，通过延长生长时间，制备由大尺寸单晶石墨烯晶粒拼接成的连续薄膜。采用本发明可获得毫米以上的高质量单晶石墨烯及由其拼接而成的大面积连续薄膜，为石墨烯在纳电子器件、透明导电膜、显示器和太阳能电池电极、气体传感器、光电转换器、薄膜电子器件等光电领域的应用奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 晶石 及其 连续 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法，其特征在于：该方法采用化学气相沉积技术，在含有氢气的载气存在的情况下，先对金属基体进行热处理，然后利用碳源气体高温下在金属基体表面催化裂解，生长大尺寸单晶石墨烯，通过延长生长时间，制备由大尺寸单晶石墨烯晶粒拼接成的连续薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210024680.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涤锦复合丝灯芯绒的染整方法
- 下一篇：一种烧结钕铁硼磁性材料的表面处理方法
