[发明专利]一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置有效
| 申请号： | 201210024730.6 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN103245424A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 尤立星;陈思井;王永良;刘登宽;谢晓明;江绵恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置，所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树；所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口；所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连，SNSPD器件的另一端接地；所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为：在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。本发明操作简单，不改变器件结构，不需要增加滤波电路或屏蔽，仅需并联适当阻值的电阻就能提高系统抗电干扰能力，成本低；不改变探测电脉冲信号的形状、幅度与宽度；不会形成反射脉冲从而影响器件性能；不影响探测系统的暗计数率及量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 snspd 系统 干扰 能力 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法，所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树；所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口；所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连，SNSPD器件的另一端接地；其特征在于，所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为：在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。
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