[发明专利]一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201210024958.5 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102583387A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 罗学涛;林彦旭;余德钦;李锦堂;方明;卢成浩 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法，涉及多晶硅的提纯方法。将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热，通入氩气；将感应熔炼炉升温至1550～1620℃，保温3～5h；将经过保温的合金降温至1220～1270℃，然后淬火处理；将经过淬火处理的硅锭粉碎，然后磨成硅粉，再清洗；将清洗后的硅粉放入氢氟酸中酸洗，清洗后烘干；将烘干后的硅粉与钙粒混合后放入石墨坩埚，进行二次熔炼后，降温至1050～1100℃，然后淬火处理；将硅锭粉碎，清洗，然后放入盐酸中酸洗，再清洗后烘干，得到的硅粉即为采用二次合金法提纯的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 二次 合金 提纯 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热，通入氩气；2)将感应熔炼炉升温至1550～1620℃，保温3～5h；3)将步骤2)中经过保温的合金降温至1220～1270℃，然后淬火处理；4)将步骤3)中经过淬火处理的硅锭粉碎，然后磨成硅粉，再清洗；5)将步骤4)清洗后的硅粉放入氢氟酸中酸洗，清洗后烘干；6)将烘干后的硅粉与钙粒混合后放入石墨坩埚，进行二次熔炼后，降温至1050～1100℃，然后淬火处理；7)将步骤6)中的硅锭粉碎，清洗，然后放入盐酸中酸洗，再清洗后烘干，得到的硅粉即为采用二次合金法提纯的多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210024958.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
