[发明专利]集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法及芯片

摘要

本发明揭示了一套“后半导体工艺”的基于SOI衬底的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法及其芯片，所述制作方法包括在完成标准半导体工艺的基片上采用低温工艺制作背极板、声音敏感膜、牺牲层等结构组成微硅麦克风，以实现微硅麦克风同基片上已有电路的集成，如此可将集成电路器件同微型硅麦克风集成在一起形成具有高灵敏度的单片集成芯片。

主权项

一种集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于，该制作方法包括如下步骤：1)提供一SOI基片，所述SOI基片的第一表面具有用于生成集成电路的第一区域及用于生成电容式微硅麦克风的第二区域，所述SOI基片包括硅器件层；2)按照标准半导体工艺流程在所述第一区域上生成与电容式微硅麦克风电气连接的集成电路，同时，在所述第二区域上形成与制作所述集成电路时一同制作的金属导电层及介质绝缘层；3)在所述第二区域上部分去除介质绝缘层以露出所述硅器件层，然后进一步去除部分硅器件层以形成背极板图形及多个声孔，所述硅器件层作为麦克风电容的第一极板；4)采用低温淀积工艺在所述SOI基片的上方淀积牺牲层，所述牺牲层填充所述声孔；5)在所述牺牲层上生成多晶硅锗薄膜作为所述麦克风电容的第二极板；6)在所述SOI基片与所述第一表面相对的第二表面形成背腔；及7)自所述声孔腐蚀所述牺牲层，形成位于所述第一极板与所述第二极板之间的腔体进而使所述第二极板成为可动结构，所述腔体通过所述声孔与所述背腔连通。