[发明专利]氧化物半导体器件及其制造方法以及具有氧化物半导体器件的显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210025075.6 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102820330A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 王盛民;安基完;尹柱善;金起弘 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 氧化物半导体器件包括位于衬底上栅极；位于衬底上的栅绝缘层，栅绝缘层具有在栅极之上的凹陷结构；位于栅绝缘层的第一部分上的源极；位于栅绝缘层的第二部分上的漏极；以及位于源极和漏极上的有源图案，该有源图案填充凹陷结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 以及 具有 显示装置 | ||
【主权项】：
氧化物半导体器件，包括：栅极，位于衬底上；栅绝缘层，位于所述衬底上，所述栅绝缘层具有在所述栅极之上的凹陷结构；源极，位于所述栅绝缘层的第一部分上；漏极，位于所述栅绝缘层的第二部分上；以及有源图案，位于所述源极和所述漏极上，所述有源图案填充所述凹陷结构。
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