[发明专利]半导体激光器件无效
| 申请号： | 201210025101.5 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102629733A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 方瑞雨;盖德·艾伯特·罗格若;朱莉安娜·莫若罗;罗伯拓·帕沃勒特;迈克勒·埃戈斯特 | 申请（专利权）人： | 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/18;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及其中边发射激光器与反射器集成以形成面发射半导体激光器件的半导体激光器件。该面发射半导体激光器件被设置包括形成在布置于半导体衬底上的各层半导体材料中的边发射激光器、被布置在衬底上与其中形成有边发射激光器的层横向相邻的聚合物材料、以及形成在聚合物材料的大致面对激光器的出射端面的斜侧面中或上的反射器。离开出射端面的激光在被反射器沿与衬底的上表面大致垂直的方向反射离开器件之前传播通过聚合物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种面发射半导体激光器件，包括：衬底，其具有上表面及下表面；多个半导体层，其至少包括最下层以及最上层，其中，所述最下层被布置在所述衬底的所述上表面上，所述多个半导体层具有形成在其中的边发射激光器，用于在所述激光器被激发时产生具有激射波长的激光，所述激光器具有第一端面及第二端面，其中，当所述激光器被激发时，具有所述激射波长的所述激光通过所述第二端面离开所述激光器；形成在所述多个半导体层中一个或多个层中的沟道；设置在所述沟道中的聚合物材料，所述聚合物材料至少包括下表面及斜侧面，所述聚合物材料的所述下表面与所述沟道接触，所述斜侧面大致面对所述边发射激光器的所述第二端面；以及布置在所述聚合物材料的所述斜侧面上的反射器，其中，离开所述边发射激光器的所述第二端面的所述激光的至少一部分入射在所述反射器上，并且沿与所述衬底的所述上表面大致垂直的方向被所述反射器反射。
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