[发明专利]一种微器件的真空封装方法有效
| 申请号： | 201210025120.8 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102530844A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王凌云;吕文龙;杜晓辉;苏源哲;占瞻;左文佳;孙道恒 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微器件的真空封装方法，涉及一种微器件的封装方法。采用微加工工艺在下硅片上加工硅岛、可动结构及附属金属电极和引线；采用湿法腐蚀法在上硅片正面加工出梯形通孔，在上硅片背面加工出微流道；采用硅-玻璃阳极键合技术将上硅片与玻璃盖板键合在一起；采用玻璃浆料键合技术实现下硅片与上硅片的键合；将键合后的圆片置于真空键合机中，通过微流道将腔体内气体抽走，激光局部加热技术使玻璃盖板的局部熔化，融化后的玻璃将微流道密封起来，最终实现MEMS器件的晶圆级真空封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 真空 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种微器件的真空封装方法，其特征在于包括以下步骤：1)采用微加工工艺在下硅片上加工硅岛、可动结构及附属金属电极和引线；2)采用湿法腐蚀法在上硅片正面加工出梯形通孔，在上硅片背面加工出微流道；3)采用硅‑玻璃阳极键合技术将上硅片与玻璃盖板键合在一起；4)采用玻璃浆料键合技术实现下硅片与上硅片的键合；5)将键合后的圆片置于真空键合机中，通过微流道将腔体内气体抽走，激光局部加热技术使玻璃盖板的局部熔化，融化后的玻璃将微流道密封起来，最终实现MEMS器件的晶圆级真空封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210025120.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水系超级电容器
- 下一篇：一种汽车电子系统的故障诊断方法
