[发明专利]一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法无效
| 申请号： | 201210026103.6 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247755A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法，该阻变存储器器件从下至上依次包括下电极、阻变存储层和上电极，该Reset电流是阻变存储器器件由低阻态向高阻态转变所需的电流，该方法是在下电极与阻变存储层之间和/或阻变存储层与上电极之间插入一热保护层，用以减小阻变存储器器件在由低阻态向高阻态转变过程中的热损失，进而降低阻变存储器器件的Reset电流。本发明通过加入热保护层能够有效减小阻变存储器器件在Reset过程中的热损失，因此降低了器件的Reset电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 存储器 器件 reset 电流 方法 | ||
【主权项】：
一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法，该阻变存储器器件从下至上依次包括下电极、阻变存储层和上电极，该Reset电流是阻变存储器器件由低阻态向高阻态转变所需的电流，其特征在于，该方法是在下电极与阻变存储层之间和/或阻变存储层与上电极之间插入一热保护层，用以减小阻变存储器器件在由低阻态向高阻态转变过程中的热损失，进而降低阻变存储器器件的Reset电流。
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