[发明专利]一种高压TiO2环形压敏电阻器的制备方法无效
| 申请号： | 201210026923.5 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102584210A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 尹衍升;李文戈;刘伯洋;范艳华;董丽华;尧巍华;孙质彬;李维强;王昕 | 申请（专利权）人： | 上海海事大学;上海易力禾电子有限公司;中国海洋大学 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;C04B35/622;H01C7/115 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 孙景宜 |
| 地址： | 200135 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压TiO2环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，采用化学纯TiO2为主原料，掺杂剂包括Nb、Ba、Sr、Ta、W、Bi、Si、Na、Sb、Mn、La、Al、Ca、Cu、Zr、Dy的氧化物和碳酸盐，经配料，球磨，干燥，造粒，成型，排胶，烧结，印电极制成。本发明通过调节各种掺杂剂用量及烧成工艺，可以获得不同电压范围的高压环形压敏电阻器，E1mA在100～600V之间，最佳条件下可稳定在200～300V，非线性系数达到3.5以上，制备工艺简单，能耗较低，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 tio sub 环形 压敏电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压TiO2环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，采用化学纯TiO2为主原料，掺杂剂包括Nb、Ba、Sr、Ta、W、Bi、Si、Na、Sb、Mn、La、Al、Ca、Cu、Zr、Dy的氧化物和碳酸盐，经配料，球磨，干燥，造粒，成型，排胶，烧结，印电极制成。
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