[发明专利]一种多孔氮化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210027249.2 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102534630A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 霍开富;陈荣生;付继江;高标 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C25D11/26 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种多孔氮化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。其技术方案是：先将打磨和抛光后的含钛金属片作为阳极置入电解液中进行阳极氧化，阳极氧化的电压为10~60V，阳极氧化的时间为0.5~5小时；再将阳极氧化后的含钛金属片进行清洗，干燥，然后将干燥后的含钛金属片在空气中于300~600℃条件下进行退火处理，最后将退火处理后的含钛金属片于300~800℃条件下，在含氮前驱物的体积含量为10～100％的气氛中以1～20℃/min的速度进行退火，随炉冷却，在含钛金属片表面得到氮化钛纳米管阵列薄膜。本发明的制备方法简单，工艺可靠，所制备的多孔氮化钛纳米管阵列薄膜从管口到管底部均匀分布有纳米尺寸的孔洞，孔洞大小可调，适用于电化学领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氮化 纳米 阵列 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔氮化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于先将打磨和抛光后的含钛金属片作为阳极置入电解液中进行阳极氧化，阳极氧化的电压为10~60V，阳极氧化的时间为0.5~5小时；再将阳极氧化后的含钛金属片进行清洗，干燥，然后将干燥后的含钛金属片在空气中于300~600℃条件下进行退火处理，最后将退火处理后的含钛金属片于300~800℃条件下，在含氮前驱物的体积含量为10～100％的气氛中以1～20℃/min的速度进行退火，随炉冷却，在含钛金属片表面得到氮化钛纳米管阵列薄膜。
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