[发明专利]晶片级发光二极管结构的制造方法及发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201210027255.8 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN103187491B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡曜骏;许镇鹏;林国丰;刘训志;胡鸿烈;孙健仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片级发光二极管结构的制造方法及发光二极管芯片。晶片级发光二极管结构的制造方法包含提供一生长基板，其上依序成长有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层；对该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层进行一图形化制程，定义出多个第一凹陷区以及多个第二凹陷区，其中多个叠层结构是对应形成于该第二凹陷区内，以及一第一半导体层的延伸区是对应配置于与一预定切割线重叠的该第一凹陷区内；形成至少一第一电极于该第一凹陷区内的该第一半导体层延伸区；以及，形成一第二电极于该第二凹陷区内的叠层结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发光二极管 结构 制造 方法 芯片 | ||
【主权项】：
一种晶片级发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包含：提供一生长基板，其上依序成长有一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层；对该第一半导体层、该发光层、及该第二半导体层进行一第一图形化制程，定义出多个第一凹陷区以及多个第二凹陷区，其中多个叠层结构是对应形成于该第二凹陷区内，以及一第一半导体层的延伸区是对应配置于与一预定切割线重叠的该第一凹陷区内，且其中至少一第二凹陷区内并无配置该叠层结构；形成至少一第一电极于未配置叠层结构的该第二凹陷区内，其中至少一第一电极设置于该生长基板的周围区域；以及形成一第二电极于该第二凹陷区内的叠层结构上。
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