[发明专利]一种双沟槽MOS半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201210027520.2 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247677A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘福香 | 申请（专利权）人： | 刘福香 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双沟槽MOS半导体装置，其是制造功率MOS器件的基本结构；本发明的半导体装置的电极可以从器件的表面引出；本发明的半导体装置制造的器件具有更高的电流密度。本发明还提供了一种沟槽肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料；多个第一类型沟槽，位于漂移层中，第一类型沟槽内壁设置有第二导电半导体材料层，其中第二导电半导体材料层为第二导电半导体材料构成，第二导电半导体材料层形成的沟槽内设置有第一导电半导体材料层，其中第一导电半导体材料层为第一导电半导体材料构成；多个第二类型沟槽，第二类型沟槽与第一类型沟槽不平行且相互交叉，第二类型沟槽内壁设置有绝缘层，为绝缘材料构成，绝缘层形成的沟槽内设置有多晶硅或金属。
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