[发明专利]一种快闪存储器的数据擦除复位方法无效
| 申请号： | 201210027861.X | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102568589A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 伍冬;潘立阳 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C16/20 | 分类号： | G11C16/20 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了存储器设计技术领域中的一种快闪存储器的数据擦除复位方法。包括：对快闪存储器的存储单元进行擦除操作，使得存储单元的阈值电压小于预设电压；对存储单元施加第一读取电压，使得一部分存储单元的输出电压为0，另一部分存储单元的输出电压大于0且不饱和；对存储单元施加比第一读取电压高的第二读取电压，使得步骤2中输出电压为0的存储单元的输出电压大于0且不饱和。本发明省去了复杂费时的软编程操作，通过增加简单省时的读取操作来保证光信号强弱的检测范围不会降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 数据 擦除 复位 方法 | ||
【主权项】：
一种快闪存储器的数据擦除复位方法，其特征是所述方法包括：步骤1：对快闪存储器的存储单元进行擦除操作，使得存储单元的阈值电压小于预设电压；步骤2：对存储单元施加第一读取电压，使得一部分存储单元的输出电压为0，另一部分存储单元的输出电压大于0且不饱和；步骤3：对存储单元施加比第一读取电压高的第二读取电压，使得步骤2中输出电压为0的存储单元的输出电压大于0且不饱和。
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