[发明专利]一种晶须加强聚偏氟乙烯中空纤维膜及其制备工艺无效

专利信息
申请号: 201210027871.3 申请日: 2012-02-08
公开(公告)号: CN103240008A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 朗万中;纪芹 申请(专利权)人: 沃盛环保科技(上海)有限公司
主分类号: B01D71/34 分类号: B01D71/34;B01D69/08
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 胡美强
地址: 200233 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种晶须加强聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维膜的制备工艺,其包含下列步骤:将包含晶须的用于制备PVDF中空纤维膜的铸膜液,来制备PVDF中空纤维膜,即可;所述铸膜液包含晶须、PVDF和溶剂,其中,晶须的含量为质量百分比0%~5%,但不为0%,PVDF的含量为质量百分比0%~5%,优选0.1~4%,溶剂的含量为75%~85%,但不为85%;所述的晶须为纳米级无机晶须。本发明还公开了上述方法制得的晶须加强聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维膜。本发明的制备工艺实现了有机组分与无机组分间的良好结合,得到了同时拥有有机膜和无机膜优点的膜材料,提高了材料的综合性能,使该材料增韧增强并举。
搜索关键词: 一种 加强 聚偏氟 乙烯 中空 纤维 及其 制备 工艺
【主权项】:
一种PVDF中空纤维膜的制备工艺,其特征在于包含下列步骤:将包含晶须的用于制备PVDF中空纤维膜的铸膜液,来制备PVDF中空纤维膜,即可;所述铸膜液包含晶须、PVDF和溶剂,其中,晶须的含量为质量百分比0%~5%,但不为0%,PVDF的含量为质量百分比15%~20%,溶剂的含量为75%~85%,但不为85%;所述的晶须为纳米级无机纳米晶须。
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