[发明专利]一种晶圆缺陷检测装置及方法有效
申请号: | 201210028685.1 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN103247548A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 栾广庆 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种晶圆缺陷检测装置,包括光源、感测单元、控制单元和载物台,所述控制单元包括图形处理器、判断单元、计算单元和缺陷分析单元。当判断单元判断晶圆中的晶粒尺寸过小,超出感测单元的感测能力时,计算单元能够自动更换感测单元的最小识别单位,使得晶粒的图形像素能够让晶粒的表面图形被正确识别,从而提高晶圆缺陷检测的正确率。同时本发明还提出了使用该晶圆缺陷检测装置的检测方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 缺陷 检测 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆缺陷检测装置,包括光源、感测单元、控制单元和载物台,其特征在于:所述控制单元包括图形处理器、判断单元、计算单元和缺陷分析单元,所述图形处理器连接所述感测单元,并将该感测单元传输的晶圆表面信息处理成具有识别信息的图形;所述判断单元判断所述图形处理器处理的图形中,单颗晶粒的图像是否清晰;计算单元则根据上述判断结果,计算设定所述图形中X、Y轴的最小识别单位,该最小识别单位所包含的晶粒颗数使得该最小识别单位的尺寸与所述感测单元的感测能力匹配;所述缺陷分析单元对所述单颗晶粒的图像进行一缺陷分析操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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