[发明专利]一种高精度电迁移预警电路

摘要

本发明公开了一种高精度电迁移预警电路，它包括互连线测试结构、两级低增益放大器、高增益比较器和输出级，互连线测试结构的输出端与两级低增益放大器的输入端相连，两级低增益放大器的输出端与高增益比较器的输入端连接，高增益比较器的输出端与输出级连接。

主权项

一种高精度电迁移预警电路，其特征在于，它包括互连线测试结构、两级低增益放大器、高增益比较器和输出级，互连线测试结构的输出端与两级低增益放大器的输入端相连，两级低增益放大器的输出端与高增益比较器的输入端连接，高增益比较器的输出端与输出级连接；所述互连线测试结构包括第一金属导线(15)、第二金属导线(16)、第一多晶硅电阻(17)、第二多晶硅电阻(18)、应力电流源(11)、测试电流源(12)、二极管连接方式的NMOS管(19)、第一开关(13)、第二开关(14)；第一金属导线(15)和第二金属导线(16)的长度、宽度均相同，第一多晶硅电阻(17)、第二多晶硅电阻(18)的阻值大小之比为1：1.2；第一金属导线(15)、第二金属导线(16)串联后与第一多晶硅电阻(17)、第二多晶硅电阻(18)串联后并联，应力电流源(11)通过第一开关(13)连接到第一金属导线(15)、第二金属导线(16)的串联交点处，第二金属导线(16)与第二多晶硅电阻(18)的交点通过第一开关(13)连接到地，二极管连接方式的NMOS管(19)的漏端接到第二金属导线(16)与第二多晶硅电阻(18)的交点处，源端接地，测试电流源(12)通过第二开关(14)连接到第一金属导线(15)与第一多晶硅电阻(17)的交点处，从第一金属导线(15)、第二金属导线(16)的交点处以及第一多晶硅电阻(17)、第二多晶硅电阻(18)的交点处分别引出互连线测试结构的输出信号。