[发明专利]制造应变源极/漏极结构的方法有效
| 申请号： | 201210029796.4 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637728A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 郭紫微;宋学昌;陈冠宇;林宪信 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。所公开的方法提供了用于在半导体器件中形成改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的工艺。具有改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的半导体器件可以防止或者降低缺陷，并且获得较好的应变效果。在至少一个实施例中，轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件包含通过外延生长形成的相同的半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 应变 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上方，并且在所述衬底中限定出沟道区域；以及外延epi应变器，位于所述衬底中，其间插入有所述沟道区域，其中，至少一个所述epi应变器包括：轻掺杂源极/漏极LDD元件；以及源极/漏极S/D元件，邻近所述LDD部分。
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