[发明专利]大型功率整流柜可控硅导通检测装置无效

专利信息
申请号: 201210030068.5 申请日: 2012-02-10
公开(公告)号: CN103245868A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 苏军;余超;章科峰 申请(专利权)人: 武汉洪山电工科技有限公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430223 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 所述大功率可控硅整流柜导通检测装置分为信号采集、信号处理、送显三部分。信号采集部分通过传感器采集可控硅桥臂电流、通过低时滞变送器测量可控硅管压降。由于可控硅桥臂电流与管压降在相位上存在相反的关系,可控硅截止时,管压降为阳极交流线电压,可控硅受触发导通时,管压降很低,约2伏左右,每周期内均有导通与截止时段,根据这一关系,信号处理部分即可初步判断可控硅是否处于可控状态。
搜索关键词: 大型 功率 整流 可控硅 检测 装置
【主权项】:
一种适用于中大型发电机组励磁系统整流柜的可控硅导通检测装置,其特征是分为信号采集、信号处理、送显三部分,信号采集部分采集桥臂电流、管压降、实际脉冲时刻、AVR计算角度、同步电压,信号处理部分将所采集的信号综合处理,送显部分送出信号,定位指明故障可控硅相别。
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