[发明专利]ITO-卤化铟双层导电膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210030181.3 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103243296A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;H05B33/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于导电薄膜领域，其公开了一种ITO-卤化铟双层导电膜及其制备方法；该双层导电膜包括ITO层和卤化铟层；其中，ITO层中，In2O3质量百分含量为80～97％，SnO2的质量百分含量为3～20％；卤化铟中的卤素选自F、Cl或Br。本发明采用磁控溅射设备，制备ITO-卤化铟双层导电膜，其在450～790nm波长范围可见光透过率85％～90％，方块电阻范围20～90Ω/□，表面功函数5.5～6.1eV。 | ||
| 搜索关键词： | ito 卤化 双层 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ITO‑卤化铟双层导电膜，其特征在于，该双层导电膜包括ITO层和卤化铟层；其中，ITO层中包括In2O3和SnO2，且In2O3质量百分含量为80～97％，SnO2的质量百分含量为3～20％；卤化铟层的材质为卤化铟，其化学式为InA3，A为卤素，选自F、Cl或Br。
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